近年来量子点材料因具有独特的光电子性质而受到了广泛的关注和研究,In Ga As量子点更是因其优良的光学性能而被应用于半导体激光......

通过联合运用液滴外延法和SK法来研究生长的InGaAs量子点的密度、尺寸以及分布均匀性与沉积的In的量之间的关系，得到了不同In沉积量......

In(Ga)As/GaAs量子点材料体系因具有非常诱人的发光器件应用前景，而受到人们的广泛关注。特别是如何通过控制量子点的尺寸、形状、......

采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当,从而......

用分子束外延(MBE)设备以Stranski-Krastanov(S-K)生长模式,通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂直堆垛的InGaAs量子点,首次......