用“克尔磁光效应”对(Sm.Gd Er)C[*vo5*]磁畴的研究

来源 :中国电子学会生产技术学会1987年第三届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fuconghua
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利用“克尔磁光效应”观察了(Sm.GdEr)C[*vo5*]的磁畴。研究了在分级磁化和退磁过程中两个内压禀矫顽力相差较大的样品,从它们的磁畴的变化发现,该材料的矫顽力主要由反磁化成核机制所控制,因此抑制早期反磁化核的生成,即设法提高磁体的致密度,减少磁体中的杂质和孔洞等缺陷,使成份均匀、精确,使磁畴尽可能取向一致,对提高磁体的性能是有利的。(本刊录)
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