【摘 要】
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近年来，异质结纳米材料由于其新颖的结构及独特的光电特性，引起了广泛而深入的研究.作为异质结纳米材料的一种，半导体异质结纳米线由于可以实现组分及结构可调，且与二维异质结相比可以更有效地释放应力，是制备共振隧穿二极管、发光二极管、场效应晶体管及太阳能电池等的理想材料.InAs 和InSb 是两种重要的Ⅲ-Ⅴ 族半导体，它们具有窄的禁带宽度、极高的电子迁移率和大的g 因子等特征.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
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近年来，异质结纳米材料由于其新颖的结构及独特的光电特性，引起了广泛而深入的研究.作为异质结纳米材料的一种，半导体异质结纳米线由于可以实现组分及结构可调，且与二维异质结相比可以更有效地释放应力，是制备共振隧穿二极管、发光二极管、场效应晶体管及太阳能电池等的理想材料.InAs 和InSb 是两种重要的Ⅲ-Ⅴ 族半导体，它们具有窄的禁带宽度、极高的电子迁移率和大的g 因子等特征.
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