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该文对化合物半导体材料特性，生长速率、沉积反应、液-固平衡、气固平衡和掺杂行为等进行了动力学，热力学和模式识别以及人工神经网络的研究。所得结果为改进化合物半导体材料的生长工艺、控制生长条件和改善材料质量提供了有益的依据，有助于化合物半导体材料及其有关学科的发展。
化合物半导体材料物理化学的若干研究
【摘 要】
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该文对化合物半导体材料特性，生长速率、沉积反应、液-固平衡、气固平衡和掺杂行为等进行了动力学，热力学和模式识别以及人工神经网络的研究。所得结果为改进化合物半导体材料
【机 构】
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科学院上海冶金研究所
【出 处】
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中国金属学会'98冶金过程物理化学学术会议
【发表日期】
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1998年期
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