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用气相外延方法分别在Ge和GaAs衬底上生长出性能良好的ZnSe光学薄膜，通过X射线分析，劳厄照相和I-V，C-V测试表明，ZnSe外延膜质量较好，可用于研制蓝色发光二极管及其它光学材料。（本刊录）
ZnSe光学薄膜特性分析
【摘 要】
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用气相外延方法分别在Ge和GaAs衬底上生长出性能良好的ZnSe光学薄膜，通过X射线分析，劳厄照相和I-V，C-V测试表明，ZnSe外延膜质量较好，可用于研制蓝色发光二极管及其它光学材料。（本
【机 构】
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南京工学院
【出 处】
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中国光学学会85年光学薄膜学术讨论会
【发表日期】
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1985年期
其他文献
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