【摘 要】
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本文介绍了我所64×64HgCdTe长波焦平面器件的最新进展.该器件采用我所自己研制的LPB薄膜材料,离子束刻蚀反型成结.In柱倒装互连结构.测试结果表明:离子束刻蚀反型成结64×64HgCdTe长波焦平面器件的平均峰值电压响应率为68×10(V/W),平均峰值探测率为2.5×10cm.Hz/W.离子束刻蚀反型成结是制造IRFPA器件的又一有效技术途径.
【出 处】
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第十五届全国红外科学技术交流会暨全国光电技术学术交流会
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本文介绍了我所64×64HgCdTe长波焦平面器件的最新进展.该器件采用我所自己研制的LPB薄膜材料,离子束刻蚀反型成结.In柱倒装互连结构.测试结果表明:离子束刻蚀反型成结64×64HgCdTe长波焦平面器件的平均峰值电压响应率为68×10<7>(V/W),平均峰值探测率为2.5×10<10>cm.Hz<1/2>/W.离子束刻蚀反型成结是制造IRFPA器件的又一有效技术途径.
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