【摘 要】
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薄膜晶体管是一种典型的绝缘栅场效应晶体管，现在已经应用在人造皮肤、柔性显示、射频标签和人体传感等领域。现有的薄膜晶体管一直是以低成本为主要特征，而低的迁移率限制了柔性薄膜晶体管在更为高端层次上的应用。因此，实现低成本、高性能的薄膜晶体管，将会大大拓宽其应用领域。实施的方案主要有两种，一种是寻找性能更加优良的半导体材料体系，另一种是改进现有的半导体薄膜材料。传统的薄膜晶体管一直是以低成本为主要特征，
【机 构】
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武汉大学物理学院;湖南大学物理与微电子学院
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薄膜晶体管是一种典型的绝缘栅场效应晶体管，现在已经应用在人造皮肤、柔性显示、射频标签和人体传感等领域。现有的薄膜晶体管一直是以低成本为主要特征，而低的迁移率限制了柔性薄膜晶体管在更为高端层次上的应用。因此，实现低成本、高性能的薄膜晶体管，将会大大拓宽其应用领域。实施的方案主要有两种，一种是寻找性能更加优良的半导体材料体系，另一种是改进现有的半导体薄膜材料。传统的薄膜晶体管一直是以低成本为主要特征，但是较低的迁移率限制其在高端层次上的应用。对于传统的金属氧化物薄膜晶体管，器件工艺已经成熟，但是由于其金属氧化物薄膜大多是非晶或者多晶，缺乏有序有效的导电通道，所以迁移率较低，因此优化金属氧化物材料是提升晶体管性能的有效途径之一。
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