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掩膜后丝网印刷开槽的方法目前已被用于选择性发射极硅太阳电池的生产。适当的重掺杂和浅掺杂方块电阻的搭配以及丝网印刷开槽和正电极图案对准是能形成高效率电池的关键。围绕如何保持生产中的高效率和高良率，本文主要阐述掩膜生长、腐蚀性浆料印刷、扩散、正电极丝网印刷等四类关键问题及其影响。
丝网印刷生产选择性发射极太阳电池的关键问题
【摘 要】
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掩膜后丝网印刷开槽的方法目前已被用于选择性发射极硅太阳电池的生产。适当的重掺杂和浅掺杂方块电阻的搭配以及丝网印刷开槽和正电极图案对准是能形成高效率电池的关键。围绕如何保持生产中的高效率和高良率，本文主要阐述掩膜生长、腐蚀性浆料印刷、扩散、正电极丝网印刷等四类关键问题及其影响。
【机 构】
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苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,215129
【出 处】
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第十一届中国光伏大会暨展览会
【发表日期】
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2010年6期
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本文提出了一种全天候自适应双轴太阳能跟踪系统及其控制方法，通过摄像机采集图像进行分析，结合微处理器来精确控制太阳能电池板的姿态，在实现全天候太阳方位角和高度角精确跟踪，提高太阳能利用效率的同时，也可以提高光伏阵列在全天候，特别是在恶劣天气条件下的自适应能力，增强光伏电站对故障和遮挡物的自动识别能力，并起到防盗作用，增强了光伏电站的安全性和可靠性。
本文在研究BAPV并网发电系统综合应用相关技术的基础上，结合阜宁3MW屋顶光伏发电工程的现场实际情况，根据建设单位、接入系统设计单位的设计意图和技术要求，提出了BAPV并网光伏发电系统设计总体方案，并对设计要素及关键技术、节能减排效益、综合社会经济效益等进行详尽分析和阐述。
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研究了p层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响。微晶硅(μc-si)太阳能电池采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备。实验结果表明氢稀释比越高，温度越低，沉积的p层膜光学带隙越大。将不同带隙p层应用于微晶硅电池，我们发现p层带隙过大将增加i/p界面处的能带失配，导致较多的缺陷态，影响内建场的分布同时限制开路电压(Voc)，而p层带隙较小时，将降低电池的内建电势，同样影响Voc增加。因而优化
本文采用喷淋(shower-head)电极结合高频、高压和高功率的方法，进行了高速微晶硅材料的制备研究。首先关注了气压和电极间距这两个沉积参数对微晶硅生长速率和晶化率的影响，发现只有这两个参数达到较好匹配时，才有利于获得具有较高沉积速率和一定晶化率的材料。之后通过调整硅烷浓度对本征材料进行了进一步优化。将材料应用于电池，通过控制硅烷通入时间，一定程度解决了高速本征层孵化层过厚的问题，从而改善电池的
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