【摘 要】
：
室温条件在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,经过退火样品的磁化强度增大.
【机 构】
：
中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室(北京) 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室(北
【出 处】
：
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
论文部分内容阅读
室温条件在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,经过退火样品的磁化强度增大.
其他文献
本文对GaNP三元合金进行了红外谱的测试和拟合.分析结果表明在GaNP三元合金中存在两个彼此竞争的机制制约着载流子浓度的变化.一个是来自等电子陷阱的影响,它将减少三元合金中载流子的浓度;另一个来自缺陷的影响,它将增加三元合金中载流子的浓度.文中对合金介电函数的倒数的虚部进行了计算,其结果显示,随着合金中p组份比的增加,纵向光学声子—等离激元(LPP)耦合模式向高频方向移动,同时LPP模式线宽逐渐增
本文通过低温磁输运测量对AlGaNN/GaN异质结构中两维电子气的反弱局化现象进行了研究,获得了不同温度下的弹性散射时间,相变时间,自旋散射时间.当三角形势阱中的两维电子气占据第二个子带时,由于带间散射引起强裂的自旋轨道相互作用,可以很清楚的观察到反弱局域化现象.子带间散射作用随温度升高而变强.
在低温和强磁场下对调制掺杂AlGaN/GaN异质结进行了磁输运测量.通过对不同温度下舒勃尼科夫-德哈斯(sdH)振荡的分析,计算出二维电子气(2DEG)的有效质量.发现其有效质量的大小随磁场的增加而增大.有效质量的增大与导带的非抛物性有关.
利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上生长出了高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得了多级InGaN MQW卫星峰.制成标准管芯后,在正向电流为20mA时,工作电压为4.1V,光功率约1mW,反向电压大于15V,电致发光波长为460nm,半峰宽为30nm,表明本单位已经突破中等亮度的Si基GaN蓝光二极管材料生长及器件制造技术.
本文简要介绍了在自制的VB单晶炉上研制3英寸半绝缘砷化镓单晶情况.使用石英-PNB晶体生长系统,通过我们的工艺研究,生长出了半绝缘性能及热稳定性好的非掺半绝缘砷化镓单晶,而且位错密度至少要比LEC工艺低一个量级.
在共振隧穿结构(RTS)的PL测试中,随着势垒厚度的减小,阱内发光变化不大,而阱外发光急剧减小,通过比较RTD结构PL谱中阱内外的积分发光强度,我们找到了可以让RTD单管在I-V曲线中出现负阻的势垒临界尺寸.在临界尺寸以下,载流子的输运中隧穿机制将成为主要的过程.
本文介绍一种有很低暗电流正面进光的InGaAs PIN高速光电探测器的设计和制造技术,对于光敏面为Φ40μm、20μm,和Φ12μm的高速光电探测器芯片,测量出其电容分别为173FF、60FF和34FF;-5v反偏暗电流为~0.1nA,1.31um波长响应度为~0.8A/W;装配在载体上测量出到18Gb/s有平坦的响应曲线.
利用X射线双晶衍射(XRD)技术研究了原生及退火处理后的磷化铟单晶的晶格完整性.原生磷化铟单晶中由于存在着大量的位错和高的残留热应力,导致晶格产生很大的畸变,表现为XRD半峰宽的值较高并且分布不均匀,甚至有些原生的磷化铟单晶片出现XRD双峰等.通过降低晶体生长过程的温度梯度,降低位错密度并减小晶体中的残留热应力可以提高晶体的完整性.利用高温退火处理也可有效地降低磷化铟晶体中的残留热应力.对磷化铟晶
为了估计直接键合的力度我们提出了一个既考虑了晶片表面微观形貌和弹性形变,又考虑了在不同温度下表面水分子对亲水性键合能的影响的模型.在该模型下,将键合在一起的晶片看成一个系统,利用界面自由能最小的原理,从能量的角度估算出了键合力的大小.进一步的,我们我们在相对洁净的环境下成功的键合出了一系列各个不同温度和时间下退火的键合片子,随后进行了拉力测试,从测试结果可以看出我们的这个模型是比较合适的.同时从该
本文利用反射式太赫兹(THz)辐射产生与探测系统,研究了基于不同半导体的太赫兹(THz)发射光谱.通过快速傅立叶变换(THz),我们由测得的THz时域光谱得到了其相应的频域光谱,从而对不同半导体的THz发射性质进行了比较.结果表明,未掺杂的砷化铟(InAs)较其他半导体有更高效的THz发射本领.