砷化镓单晶相关论文
半绝缘砷化镓单晶材料具有半绝缘、迁移率高、工作温度高等突出的优点,用它研制和生产出的器件和电路工作频率高、噪声低、功耗低,......
本文简要介绍了在自制的VB单晶炉上研制3英寸半绝缘砷化镓单晶情况.使用石英-PNB晶体生长系统,通过我们的工艺研究,生长出了半绝缘......
本论文报导了利用Z扫描和泵浦-探测技术在光通讯波段(波长为1300nm和1500nm)测量砷化镓(GaAs)单晶的非线性吸收系数和非线性响应时......
我们成功地制备出了直径为2.5英寸水平砷化镓单晶,其多种重要参数均符合要求.在实验中,我们采用了自行研制的新型水平单晶炉,这种......
垂直梯度凝固法（VGF）生长高质量砷化镓晶体是近几年出现的一种新方法，与液封直拉法（LEC）和水平布里奇曼法（HB）比较，具有设备造价低，容易实现......
本文阐述了光电子材料掺硅水平砷化镓单晶的产业化过程,并就设备、工艺上的一些问题进行了讨论.获得了一些有益的结果.本文提出了......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
电子工业部第46研究所，亦称天津电子材料研究所，是部属唯一从事电子材料研制与生产的专业所，电子工业专用材料质量监督检测中心......
用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形结果表明,在压痕周围除了产生玫瑰型分布的位错组态和二次对称的孪晶结构外,还......
本刊讯：2006年2月28日大庆佳昌科技有限公司采用自主创新的WLEC法（王氏液封直拉技术）在国内率先拉制出200mm砷化镓单晶。......
2004年,北京中科稼英半导体有限公司通过英国劳氏质量认证机构(LRQA)ISO9000体系认证,生产规模达到月产2英寸单晶片15000片.......
试图从器件应用角度来评价空间生长半绝缘ＧａＡｓ单晶性能。为此我们选择了设计制备相对成熟、对材料性能要求的侧重面又不尽相同的器件和......
据媒体报导，中国有色金属工业协会最近组织召开了“水平砷化镓单晶材料产业化”科技成果鉴定会，鉴定委员会认为，该项目利用本单位独创......
天津开发区与美国晶体技术公司日前签署投资合作协议，砷化镓晶体合成和晶体加工项目正式落户天津开发区。该项目年产2英寸砷化镓单......
中国电子科技集团公司第四十六研究所（原信息产业部电子46所）是电子材料专业研究机构，是国内最早从事半导体材料和光纤研究开发的单位......
采用高压ＬＥＣ工艺生长３ｉｎｃｋ掺Ｓｉ ＧａＡｓ单晶，掺杂浓度大于１＊１０＾１８／ｃｍ＾３，晶体位错密度小于１＊１０＾４／ｃｍ＾２。实验发现，采用ＰＢＮ坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂，固液交界面处均会产......
论述了砷化镓晶体的等效微重力生长的原理和所采用的方法，并讨论了主要结果。...
中国通过卫星搭载进行砷化镓晶体太空试验,取得重大成果,已经获得了一批在太空生长的优质半导体晶体。砷化镓晶体是微波通讯、特别......
研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表......
针对目前高校太阳能电池实验教学大多基于单晶、多晶、非晶硅样品及不能解释不同电池性能差异本质原因的不足,新开设砷化镓单晶和......
本文报道了用水平三温区炉制备高纯砷化镓单晶的工艺和热处理对电学性质的影响。实验结果表明,经适当热处理后的砷化镓单晶的液氮......
采用Z-扫描和泵浦-探测技术,在光通讯波段对砷化镓(Ga As)单晶进行了非线性动力学以及非线性光学的实验研究。飞秒泵浦-探测实验结......
利用高分辨电子显微镜对 ０.００４９ Ｎ和 ０.０４９ Ｎ载荷 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究，结果表明．在大小压痕作用下分别发生了单晶向非......
本文采用TEM和阳极腐蚀法、化学腐蚀法,研究了原生掺Si砷化镓单晶中的微缺陷及其行为;并确定了这些缺陷的性质.结果表明,在掺Si砷......
在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在......
<正> 分子束外延(简称MBE)技术是在真空蒸发基础上发展起来的晶体生长新技术.它是在超高真空条件下,构成晶体的各个组分和掺杂原子......
<正> 砷化镓单晶材料是当今世界移动通讯、微波光电集成电路及光电子领域中的基础衬底材料。国际上GaAs单晶生长方法的主流技术是:......
在返回式卫星上搭载生长了砷化镓单晶 ,Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性 .空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得......
我国第一套蒸气压控制直拉法(VCZ法)晶体生长系统和工艺技术,成功控制出国内第一根直径4英寸VCZ半绝缘砷化镓单晶,使我国成为继日......
在常温和低温下对砷化镓单晶进行压痕实验,分析温度对砷化镓单晶片显微硬度及其裂纹产生和扩展的影响。结果表明:当试验载荷处在低......
