【摘 要】
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该文针对氢离子敏场效应管(H-ISFET)在研制过程中出现的突然反型，即阀值电压V负跳变几伏至十几伏的现象，进行了研究。以H-ISFET理论为基础，提出了反型机理及物理模型：SiN中存在一
【机 构】
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中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室(北京)
【出 处】
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第六届全国敏感元件与传感器学术会议
论文部分内容阅读
该文针对氢离子敏场效应管(H<+>-ISFET)在研制过程中出现的突然反型，即阀值电压V<,T>负跳变几伏至十几伏的现象，进行了研究。以H<+>-ISFET理论为基础，提出了反型机理及物理模型：Si<,3>N<,4>中存在一种距导带顶较近的能量状态，外界瞬时强电场可使其内部产生陷阱正电荷，最终导致阈值反型；并通过大量实验证实了由于Si<,3>N<,4>敏感膜的质量不同，会导致器件特性的极大差异。
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