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本研究采用真空热蒸发制备Be薄膜对利用磁控溅射制备Be/Cu靶丸进行了前期研究，采用不同的工艺参数制备Be薄膜，研究了不同基底材料、加热温度、加热时间、Be用量、靶基距等对Be薄膜生长率、粗糙度、表面形貌、物相等的影响规律，最终得到了薄膜生长最优的工艺参数。
不同工艺参数真空蒸镀制备Be薄膜研究
【摘 要】
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本研究采用真空热蒸发制备Be薄膜对利用磁控溅射制备Be/Cu靶丸进行了前期研究，采用不同的工艺参数制备Be薄膜，研究了不同基底材料、加热温度、加热时间、Be用量、靶基距等
【机 构】
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中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900
【出 处】
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第十一届全国核靶技术学术交流会
【发表日期】
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2011年7期
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