【摘 要】
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利用脉冲激光沉积技术,在(001)SrTiO,(001)LaAlO衬底上制备了厚度(t)从10nm到400nm变化的LaCaMnO薄膜.磁滞回线测量表明这两个薄膜中的矫顽力都是难磁化方向上的大:在SrTiO基
【机 构】
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中科院物理研究所磁学国家重点试验室
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利用脉冲激光沉积技术,在(001)SrTiO<,3>,(001)LaAlO<,3>衬底上制备了厚度(t)从10nm到400nm变化的La<,0.67>Ca<,0.33>MnO<,3>薄膜.磁滞回线测量表明这两个薄膜中的矫顽力都是难磁化方向上的大:在SrTiO<,3>基上的薄膜中,垂直膜面是难磁化方向,面内为易磁化方向,此时垂直膜面的矫顽力(Hc<,⊥>)比面内方向的矫顽力(Hc<,∥>)大;在LaAlO<,3>基上的薄膜中,面内为易磁化,垂直膜面为难磁化,Hc<,∥>>Hc<,⊥>.我们认为反磁化过程当中的畴壁位移机制决定了矫顽力的这种行为.我们还分析了矫顽力随膜厚的变化,发现在厚度t>10nm时,薄膜中的矫顽力随着膜厚的减小而增加.起始磁化曲线、矫顽力与剩磁等的研究表明矫顽力随着膜厚的减小而增加与畴壁钉扎机制有关.但薄膜中的矫顽力不会完全按正比1/t的形式增加,本文初步分析了这种变化的原因.
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