【摘 要】
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基于氮化镓(GaN)的共振遂穿二极管(RTD)在高场下,有着高频率和高输出功率密度的特性,所以RTD有希望在太赫兹辐射和检测领域发挥重要作用。汇报在室温下基于铟铝氮(InAlN)
【机 构】
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State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microe/ectronic
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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基于氮化镓(GaN)的共振遂穿二极管(RTD)在高场下,有着高频率和高输出功率密度的特性,所以RTD有希望在太赫兹辐射和检测领域发挥重要作用。汇报在室温下基于铟铝氮(InAlN)/GaNRTD的仿真,并向InAlN/GaN/InAlN量子阱里引入缺陷能级,来研究负阻特性变化的趋势,并和传统铝稼氮(AlGaN)/GaN RTD相比较。仿真结果显示,当缺陷密度大于lO9 cm-3时,InAlN/GaN RTD的负阻特性开始出现明显衰减,这和传统AlGaN/GaN RTD一致；当正反扫20次以后,InAlN/GaN RTD的负阻特性衰减很小,这比传统的AlGaN/GaN,氮化铝(AlN)/GaN RTD有着很大的改进,这归结为InAlN和GaN晶格匹配的表面,以及带来的压电极化的移除。这暗示着材料的改进有助于RTD实现稳定的负阻特性。
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