【摘 要】
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采用激光分子束外延技术，相同的实验条件下分别在Si(111)、sapphire (0006)和MgO(111)衬底上外延出极性纤锌矿结构AlN薄膜。XRDθ-2θ，Φ扫描和ω扫描结果显示(0002)AlN在六方的sapphire (0006)和立方MgO (111)衬底上为均外延生长，其关系为(0002)[11-20]AIN//(111)[0-11]Mgo、(0002)[11-20]AIN//(0
【机 构】
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Key Laboratory of Photovoltaic Materials of Henan Province, School of Physics and electronic.s, Hena
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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采用激光分子束外延技术，相同的实验条件下分别在Si(111)、sapphire (0006)和MgO(111)衬底上外延出极性纤锌矿结构AlN薄膜。XRDθ-2θ，Φ扫描和ω扫描结果显示(0002)AlN在六方的sapphire (0006)和立方MgO (111)衬底上为均外延生长，其关系为(0002)[11-20]AIN//(111)[0-11]Mgo、(0002)[11-20]AIN//(0006)[01-10](sap)，在Si衬底上并未发现外延关系；ω扫描结果看出MgO (111)衬底上AIN外延膜的半高宽比Si和sapphire衬底上都要小。依据界面原子捧布模式和界面能。分析外延膜晶体质量。
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本文通过Si掺杂技术大幅提高了InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的性能。与同结构、无掺杂的参比电池相比,采用合适的Si掺杂技术,InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的开路电压由0.67V提升至0.84V,效率由11.3％显著提升至17.0％。这种提升主要源于量子点材料缺陷密度的减少和器件中能量损失的降低。
本文优化设计了一种高频高饱和输出的单行载流子光电探测器(UTC-PD)。引入线性掺杂吸收区和窄InP崖层从而获得高频高饱和探测器。利用微电子工艺制备器件,并对其暗电流、光响应、接触电阻、低频电容和带宽进行了测试分析。结果显示,直径为15μm的探测器,在1V反偏电压下的暗电流为3.5nA。器件在1.55μm的入射光下的响应度为0.3A/W,零偏压下的饱和光强为135mW。3dB带宽为15GHz。
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