论文部分内容阅读
中等剂量的氢离子注入硅片后,经恰当的热处理,可形成埋层微空腔层,并进而使硅膜剥离.结合低温键合工艺,可使一薄层的硅膜转移到另一衬底上形成多层结构材料.利用这种智能剥离技术成功地制备了高质量的SOI和SOM材料.
SOI等多层结构材料智能剥离制备技术
【摘 要】
：
中等剂量的氢离子注入硅片后,经恰当的热处理,可形成埋层微空腔层,并进而使硅膜剥离.结合低温键合工艺,可使一薄层的硅膜转移到另一衬底上形成多层结构材料.利用这种智能剥离
【机 构】
：
复旦大学微电子学系
【出 处】
：
第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
：
2001年期
其他文献
研究了硅中H,He共注入所引起的新效应以及共注入对硅材料的缺陷、气泡和小平面等的形成和演化的影响,深入研究了H+/He+离子共注入次序和剂量对Smart-cut SOI工艺的影响,得到H
随着社会的发展，各种三维异形建筑层出不穷；在实际施工中采用传统的坐标及高程计算方法，难度较大且准确性较低的问题，本文以苏州星港街过街天桥项目为例，简单介绍BIM技术与工程测
SOI技术已走向成熟,进入实际应用阶段.但由于低热传导率的SiO绝缘氧化埋层所造成的自加热效应导致器件的沟道电流下降和负差分电阻的形成等,导致SOI技术的应用受到一定的限制
智能剥离(smart cut)技术是近年来刚刚兴起的一种新型的形成SOI材料的方法.它所形成的SOI材料其顶层硅膜具备单体晶硅的优点,同时又克服了利用普通键合技术形成SOI材料的减薄
本文介绍了有载调压(OLTC)变压器的作用、固有特性和调压过程中存在的问题.比较、分析国内外先进的有载调压变压器的种类和发展方向,提出采用可控硅无触点开关代替机械式分接
为提高超高速双极晶体管的电流增益,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响,我们将选择离子注入集电区技术(SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中.电学特性测量结果表明,经过
会议
目前我国实行的不动产登记制度是由国土部门统一负责，而在登记过程当中，是以登记档案的形式来实现不动产信息管理工作，因此，登记档案也成了该制度实施的关键因素。就不动产登记档
水利工程建设事业是我国基础的工程建设,是功在在当代,利在千秋的民心工程之一.而混凝土施工技术在整个工程中起着举足轻重的作用,它的质量关系到整个的进度和质量,稍有差错,
建筑是城市最主要的组成部分，能提升一个城市的外在形象。城市规划设计与建筑设计关系密切，城市规划设计以建筑设计为基础，建筑设计要遵循城市整体规划设计，因此处理好城市规划设