新型砷化镓高隔离开关

来源 :2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wanghuaifei

【摘要】

：

基于砷化镓场效应结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术和CMOS电荷泵技术，研制开发的射频开关无需外加隔直电容，具有插损低、隔离度高、承受功率大和线性度高等特点。芯片采用GaAs0.5umPHEMT标准工艺线和CMOS高压标准工艺线加工实现。测试结果表明，在0.01～4.0GHz频带内，插入损耗≤1.5dB，带内输入输出驻波比≤1.5，4GHz频率处隔离度≥46dB，1dB压缩功率点达到3

【作者】

：

李晓鹏王志功许正荣张有涛陈新宇钱峰

【机构】

：

东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096 南京电子器件研究所,南京,210016 东南

【出处】

：

2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议

【发表日期】

：

2010年7期

【关键词】

：

砷化镓高隔离开关场效应结构

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