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本文报道了垂直堆垛InAs量子点的生长,光学性质,异质结场效应晶体管(HFET)器件外延结构及大的阈值电压偏移所产生的存储效应等工作.
自组织垂直堆垛InAs量子点材料的表征及HFET存储器件的应用
【摘 要】
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本文报道了垂直堆垛InAs量子点的生长,光学性质,异质结场效应晶体管(HFET)器件外延结构及大的阈值电压偏移所产生的存储效应等工作.
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所(吉林长春)大阪工业大学新材料研究中心,大阪旭阳区大宫(日本)
【出 处】
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第八届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2002年8期
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