【摘 要】
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本工作从实验测量、模拟计算、理论分析几方面研究半导体器件的在不同脉冲宽度下的辐射损伤规律.对三种半导体器件进行了不同脉冲宽度下的瞬时辐射损伤实验测量,实验测量结果表明,辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低;建立了2 μm CMOS 反相器的模型,对其辐射效应进行了模拟计算,得到了闩锁阈值与脉冲宽度的关系曲线;从瞬时辐射损伤机制入手,对辐射损伤的脉冲宽度效应进行了物理分析和模拟计算,给出了不同损伤机理
【机 构】
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西北核技术研究所,陕西西安 710024
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本工作从实验测量、模拟计算、理论分析几方面研究半导体器件的在不同脉冲宽度下的辐射损伤规律.对三种半导体器件进行了不同脉冲宽度下的瞬时辐射损伤实验测量,实验测量结果表明,辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低;建立了2 μm CMOS 反相器的模型,对其辐射效应进行了模拟计算,得到了闩锁阈值与脉冲宽度的关系曲线;从瞬时辐射损伤机制入手,对辐射损伤的脉冲宽度效应进行了物理分析和模拟计算,给出了不同损伤机理下辐射损伤与脉冲宽度的关系;结合实验测量结果、模拟计算结果及物理分析,初步得出了半导体器件瞬时辐射损伤的脉冲宽度效应数学表征.
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