随机静态存储器相关论文
使用西北核技术研究所自主研制的存储器辐射效应测试系统,选取了0.25 μm 工艺4M 容量和0.13 μm 工艺16M容量的CMOS随机静态存储......
回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳......
本文基于TSMC65nm工艺,并利用Sentaurus TCAD软件建立模型并研究NMOS和PMOS在电荷共享中电荷收集的物理机理,通过不同工艺条件、版......
为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术......
基于北京HI-13串列加速器质子源及技术改进工作,获得2~15 MeV低能质子束流。针对商业级65nm工艺4M×18bit大容量随机静态存储器(SR......
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介绍了ＨＭ６２８１２８的性能特点及其在８０９８单片机存储空间扩展中的具体应用方法。采用此方法，可减少ＲＡＭ芯片的使用，充分体现８０９８的优势。文中给出了硬件电路和......
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分析了核裂变与聚变情况下,典型能量的中子与半导体器件反应,所产生的次级粒子及其能谱分布。根据中子所能导致的最恶劣情况,讨论......
建立了中子单粒子翻转可视化分析方法，对不同特征尺寸（0．13～1．50μm）CMOS工艺商用随机静态存储器（SRAM）器件开展了反应堆中子单粒子翻转效......
