硫化锑（Sb₂S₃）、硒化锑（Sb₂Se₃）、硫硒化锑（Sb₂（S,Se）₃）可以看作二元或者准二元化合物半导体。该类型的半导体能带在1.1-1.8 eV范围内可调且具有很高的光吸收系数(可见光范围最高可达¹0⁵ cm^-1量级)。尤为重要的是,该化合物化学性质稳定,对水、氧气不敏感,所含元素较为丰富且环境友好,这些特点在大规模的实际应用中非常重要。总之,该类型的化合物非常适合做太阳能电池的光吸收材料[1,2]。在目前的研究中,该类型的材料主要应用于敏化型和平面型器件结构中。本报告将首先介绍基于硫硒化锑的太阳能电池的研究概况及最新进展,随后介绍我们课题组近期在硫硒化锑太阳能电池方面的研究工作,主要包括两个方面。（1）发展了一种溶液法合成Sb₂S₃,得到非常平整的薄膜材料,并构建了平面型光电转换器件FTO/TiO₂致密层/Sb₂S₃/空穴传输层/金属电极[3],最终实现了⁵.0%的光电转换效率。（2）通过引入Sb₂Se₃于Sb₂S₃薄膜中,我们制备了具有梯度带隙的Sb₂S₃/Sb₂（S,Se）₃的光活性层,在这种光吸收材料可以同时获得比较高的开路电压和短路电流,最终我们在平面型器件中得到了5.71%的光电池转换效率[4]。最后,该类型的器件在空气中、中等湿度、未封装的条件下表现出良好的稳定性[4]。