【摘 要】
：
用磁控溅射方法制备了超坡莫合金NiFeSiMoMn(50nm~200nm)单层膜、NiFeSiMoMn(50nm~200nm)/Cu(50nm)双层膜,研究了Cu的扩散对超坡塻合金软磁性能的影响,结果表明:NiFeSiMoMn/Cu的软磁性能好于单层膜NiFeSiMoMn,发现是Cu的扩散改善了NiFeSiMoMn的软磁性能.还制备了Cu为导电层的三明治膜,Cu层宽度分别为0.3mm、0.7mm、
【出 处】
：
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
论文部分内容阅读
用磁控溅射方法制备了超坡莫合金NiFeSiMoMn(50nm~200nm)单层膜、NiFeSiMoMn(50nm~200nm)/Cu(50nm)双层膜,研究了Cu的扩散对超坡塻合金软磁性能的影响,结果表明:NiFeSiMoMn/Cu的软磁性能好于单层膜NiFeSiMoMn,发现是Cu的扩散改善了NiFeSiMoMn的软磁性能.还制备了Cu为导电层的三明治膜,Cu层宽度分别为0.3mm、0.7mm、0.9mm,研究了三种不同样品的GMI效应,结果表明:样品的GMI效应随着铜层宽度的增大发生振荡性的变化,在某些点存在极大值.这些结果对于研究巨磁阻抗(GMI)效应具有积极的意义.
其他文献
利用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)设备通过改变反应气体,H/SiH中的氢稀释比制备出一系列硅薄膜.薄膜的微区喇曼散射谱表明随着氢稀释比的增大薄膜由非晶向微晶过渡.通过测量薄膜的带隙、激活能、光敏性、及载流子的迁移率寿命(μτ)乘积分析了薄膜的光电特性.
本文引入一种新的低毒化合物CHCSNH/NHOH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了表面钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多;且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH)S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.
本文利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.通过选择适当的沉积参数,在过渡区得到了沉积速率为3-4A/s的μc-Si:H薄膜材料.相应地,薄膜的暗电导在10S/cm量级,光暗电导比近2个量级,电导激活能在0.52eV左右,稳定性好,
为了研究微晶硅薄膜的生长机制,本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)制备一系列不同生长阶段的微晶硅(μc-Si:H)薄膜,用原子力显微镜(AFM),系统地研究表面形貌的演化.通过分形理论分析均方根表面粗糙度δ与薄膜厚度d的关系:δ~d,动力学标度因子β与生长机制相关.结果表明在沉积气压为5pa时,对于玻璃衬底β=0.48.而对于Si(100)衬底分成两个生长阶段.在薄膜形成早期(d<10nm)β=
对ZnCdO合金薄膜进行了XRD、PL谱测试,并对合金薄膜能带工程从半导体物理角度出发进行了较深入研究,提出了固溶范围内其带隙E与Cd组分含量x之间的关系:E(x)=3.29664-1.21687x+1.25539x(0·x·0.6,而其晶胞参数c与Cd组分含量x之间的关系符合Végard定律,即有:c(x)=0.5229+0.00357x(0·x·0.6).
采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展晶体完整性研究,改进工艺,提高单晶质量打下了良好的基础.
研究了Ar/O比对溅射沉积ZnCdO(x=0.1、0.2)薄膜带隙的影响.本实验所得的ZnCdO薄膜全是(002)择优取向的,没有CdO分相发生.其它条件不变,随着Ar/O的增加,薄膜带隙减小,当Ar/O=1:1时,薄膜带隙达到最小值.
在SSP硅带衬底上制备开口SiO隔离层,在隔离层上沉积多晶硅薄膜籽晶层;然后以ZMR将制备的多晶硅薄膜区融、进行再结晶,制备了SSP隔离层上多晶硅薄膜电池.研究结果表明:ZMR对籽晶层的区融、结晶效果比较理想,晶粒尺寸增大到厘米级长、毫米级宽;经过晶硅薄膜沉积后,开口隔离层的孔洞未完全被多晶硅薄膜层覆盖住;电池的光特性参数V、I、FF都比较低,电池的最高转换效率为3.83﹪.指出了改进的工艺措施.
本文报道了一种新型的铟量子点单电子晶体管,利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长的特性,在纳米电极间隙上生长铟量子点;由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了单岛和多岛结构的单电子晶体管,并得到了明显的库仑阻塞特性.
采用化学共沉淀法制备零维纳米γ-FeO微粉,通过比表面测试,透射电镜和X-射线衍射分析其结构,并在10GHz的频率下测试了它们的微波吸收性能.结果表明:制备得到了零维纳米γ-FeO,在10GHz的频率下γ-FeO有吸收微波的能力,大约能吸收20﹪的电磁波.