GaInAsSb相关论文
本文引入一种新的低毒化合物CHCSNH/NHOH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了表面钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻......
通过对(NH)S硫钝化后GaInAsSb样品的AES和XPS分析,S对减小器件表面复合速度、提高器件性能起主要作用.钝化后探测器的电学性能和探......
暗电流和动态电阻是反映红外探测器性能的重要参数,材料表面的处理可以很大程度上改善探测器的性能.本文介绍了硫钝化和退火处理对......
报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaInAsSb／GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果。STEM图像表明，在四元合金GaInAs......
GaInAsSb在红外光电领域具有重要应用价值,但是窄带隙材料较高的本征载流子浓度和俄歇复合系数使其室温暗电流密度较高,需要进行制......
用内插法和电负性差法估算了GaInAsSb的晶格常数,并用液相外延法在665℃—625℃的温度范围内第一次成功地生长了品格匹配于(100)和......
The preliminary results of scanning transmission electron microscope investigations on the interface of GaInAsSb/GaSb he......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用模式识别和人工神经网络法总结ＭＯＣＶＤ外延生长ＧａＩｎＡｓＳｂ薄膜的生长条件与外处层组成的关系。结果表明，气相中ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ的含量，Ⅴ／Ⅲ比和生长温度是影响外延......
设计了一种从衬底入射的共振腔增强型GaInAsSb/GaSb光电探测器结构.在这种结构中,上反射镜是由9.5～15.5个周期的InAs/GaSb QWS组成,......
设计了一种从衬底入射的共振腔增强型GaInAsSb/GaSb光电探测器结构.在这种结构中,上反射镜是由9.5～15.5个周期的InAs/GaSb QWS组成,......
用水平常压MOCVD系统生长了2—4μm波段的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y合金.气相源包括三甲基镓、三甲基铟,三甲基锑(TMGa、TMIn、TMS......
报道了用ＳＴＥＭ（扫描透射电子显微镜）对ＧａＩｎＡｓＳｂ／ＧａＳｂ异质结的截面不同部分进行分析和研究的实步结果。ＳＴＥＭ图像表明，在四元合金ＧａＩｎＡｓＳｂ与衬底ＧａＳｂ的晶格常数不相同时，将会......
引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大2......
利用液相外延法（LPE）在n型GaSb衬底上成功制备了用于热光伏电池的Ga1-xInxAsySb1-y四元合金薄膜.通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌......
利用液相外延法（LPE）在n型GaSb衬底上成功制备了用于热光伏电池的Ga1-xInxAsySb1-y四元合金薄膜.通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌......
ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙｏｆＧａＩｎＡｓＳｂｂｙＭｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎＬｉＳｈｕｗｅｉ，ＪｉｎＹｉｘｉｎ，ＺｈｏｕＴｉａｎｍｉｎｇ，ＺｈａｎｇＢａｏｌｉｎ（李.........
蒋红）（李树纬...
１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅＧａＳｂｓｉｎｇｌｅｃｒｙｓｔａｌｓａｒｅｏｆｔｅｎｕｓｅｄａｓｔｈｅｓｕｂｓｔｒａｔｅｍａｔｅｒｉａｌｓｆｏｒｐｒｅｐａｒｉｎｇｅｐｉｌａｙｅｒｓｏｆｌｉｇｈｔｅｍｉｔｉｎｇａｎｄｌｉｇｈｔｄｅｔｅｃｔｉｎｇｄ.........
研究了 PIN结构 GaInAsSb 红外探测器的暗电流特性,建立了器件的 PSPICE模型.模拟结果 与实际测试结果基本符合.计算结果表明,器件......
ＰｒｅｄｉｃｔｉｏｎｏｆＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆＧａＩｎＡｓＳｂＥｐｉｌａｙｅｒｓｂｙＭＯＣＶＤＵｓｉｎｇＰａｔｅｒｎＲｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎａｎｄＡｒｔｉｆｉｃｉａｌＮｅｕｒａｌＮｅｔｗｏｒｋＭｅｔｈｏｄＹａｎＬｉｕｍｉｎｇ①（严六明）ＥａｓｔＣｈ.........
ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆＬＰＥＧａＩｎＡｓＳｂＥｐｉｌａｙｅｒｓａｎｄＩｔｓＰｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓｆｏｒＤｅｔｅｃｔｉｏｎｏｆ１．８～２．１μｍＸｕＣｈｅｎｍｅｉ；ＰｅｎｇＲｕｉｗｕ；ＷｅｉＧｕａｎｇｙｕ；ＷｕＷｅｉａｎｄＬｉＣｕｉｙｕｎ（徐晨梅）.........
ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆＬＰＥＧａＩｎＡｓＳｂＥｐｉｌａｙｅｒｓａｎｄＩｔｓＰｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓｆｏｒＤｅｔｅｃｔｉｏｎｏｆ１．８～２．１μｍＸｕＣｈｅｎｍｅｉ；ＰｅｎｇＲｕｉｗｕ；ＷｅｉＧｕａｎｇｙｕ；ＷｕＷｅｉａｎｄＬｉＣｕｉｙｕｎ（徐晨梅）.........
ＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｌＤｅｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆＳｕｒｆａｃｅＭｏｒｐｈｏｌｏｇｙａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＧａＩｎＡｓＳｂＡｌｏｙｓＧｒｏｗｎｂｙＭｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎＮｉｎ.........
ＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｌＤｅｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆＳｕｒｆａｃｅＭｏｒｐｈｏｌｏｇｙａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＧａＩｎＡｓＳｂＡｌｏｙｓＧｒｏｗｎｂｙＭｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎＮｉｎ.........
用模式识别和人工神经网络法总结ＭＯＣＶＤ外延生长ＧａＩｎＡｓＳｂ薄膜的生长条件与外延层组成的关系。结果表明，气相中ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ的含量、Ⅴ／Ⅲ比和生长温度是影响外......
本文提出了适于２．４μｍ ＧａＩｎＡｓＳｂ台面结构探测器制备的ＨＦ／Ｈ２Ｏ２／Ｃ４Ｈ６Ｏ６／Ｈ２Ｏ腐蚀液体系，并确定了合适的成分配比。实验结果表明，该腐蚀液体系对ＧａＩｎＡｓＳｂ材料腐蚀速度适中、侧向......
本文提出了适于２．４μｍ ＧａＩｎＡｓＳｂ台面结构探测器制备的ＨＦ／Ｈ２Ｏ２／Ｃ４Ｈ６Ｏ６／Ｈ２Ｏ腐蚀液体系，并确定了合适的成分配比。实验结果表明，该腐蚀液体系对ＧａＩｎＡｓＳｂ材料腐蚀速度适中、侧向......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaSb及其四元化合物半导体GaInAsSb材料均为具有闪锌矿结构的直接带隙半导体材料,因此在制造发光二极管、......
