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采用等离子体增强原子层沉积技术在硅(100)衬底上制备了多晶AlN 薄膜,三甲基铝(TMA)和Ar/N2/H2(1：3：6)等离子体分别为Al 源和N 源的前驱体.利用X 射线衍射仪(XRD)、椭偏仪(SE)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行表征,结果表明,在温度为150-250℃范围内,薄膜生长速率随着温度的升高呈现阶梯状增加,低于或者高于该区间的生长温度,生长速率都呈现上升趋势；沉积温度为300℃和200℃时,AlN 薄膜自限制生长所需的TMA 脉冲时间分别为≥0.05s 和0.02s,饱和生长速率分别为2.1 和1.6(A)/cycle.2.1(A)/cycle 的生长速率远高于已有报道的使用N2/H2等离子体作为N 源的生长速率.