晶体薄膜相关论文
采用脉冲激光沉积法(PLD)在Si衬底上生长c轴取向LiNbO(LN)晶体薄膜,研究氧气压强对薄膜质量的影响,并且生长出了安全c轴取向的LN晶......
本研究以高岭石为载体,用Sol-gel法并掺杂金属离子制备钛溶胶,并以薄膜形式固定在高岭石表面上,经洗涤、过滤、干燥、煅烧得到纳米......
采用等离子体增强原子层沉积技术在硅(100)衬底上制备了多晶AlN 薄膜,三甲基铝(TMA)和Ar/N2/H2(1：3：6)等离子体分别为Al 源和N 源的......
会议
本研究以硫酸钛的水溶液为原料，加添加剂用水热法在玻璃基板上制备了TiO2晶体薄膜。SEM，TEM和XRD技术表征结果说明，生成的TiO2为型晶......
光子晶体由于其独特的光学性质(光子带隙和结构色彩)被广泛应用于光电材料、传感器、显示材料等领域[1]。目前，多功能光子晶体......
大面积、高结晶度的光子晶体薄膜由于其光学特性在精密光学仪器方面具有广阔的应用前景。本文通过光聚合固化PEGDA单体中的介......
光子晶体薄膜作为一种新型智能材料，在光学传感、生物监测、光子印刷、太阳能利用等方面展现出广阔的应用前景。本文将光催化剂......
红荧烯作为一种典型的P-型有机半导体材料，保持着场效应迁移率40cm2/V.s的最高纪录.目前红荧烯薄膜最广泛的制备方法为物理气相......
本文提出一种研究晶体薄膜光学隧道效应的方法，计算在最一般情况下晶体中急逝波的复射率和复折射角，讨论了隧道效应时晶体薄膜的反射......
石墨烯是一种新型的碳纳米材料。自2004 年Novoselov 和Geim 发现石墨烯以来[1]，石墨烯已经成为科学家关注的焦点之一。石墨烯......
用离子注入法制备了注入剂量不同的Co离子掺杂金红石TiO2晶体薄膜,在北京慢正电子束流装置上以不同的入射电子能量测量了样品......
湿度的检测在诸多领域具有重要的意义，我们通过简单的旋转涂膜技术可以构筑水滑石/二氧化钛一维光子晶体薄膜，焙烧后的该薄膜作......
石墨烯是Geim课题组于2004年发现的单原子层石墨晶体薄膜[1],是由sp2杂化的碳原子构成的二维蜂窝状物质,其C—C键长约为0.142nm,是......
作为一种新型的p型有机半导体材料,红荧烯由于其出色的光电性能而显示出在有机光电器件中巨大的应用潜力,日益受到关注.首先介绍了......
采用ＨＦＣＶＤ技术，通过两步ＣＶＤ生长法，以ＣＨ〈，４〉＋ＳｉＨ〈，４〉＋Ｈ〈，２〉混合气体为生长源气，在Ｓｉ衬底上生长３Ｃ－ＳｉＣ晶体薄膜。用ＸＰＳ测试手段对薄膜样品进行了组分分析并通对热丝......
用热丝化学气相沉积（ＨＦ－ＣＶＤ）方法成功地合成了β－Ｃ〈，４〉Ｎ〈，４〉晶态膜，通过ＳＥＭ观察到β－Ｃ〈，４〉Ｎ〈，４〉的晶体形貌，通过ＸＲＤ测定其晶格常数ａ＝６．２４Ａ°，ｃ＝２．３６Ａ°，与理论预测值相近，利......
在GaN材料的生长过程中我们发现，设备MOCVD反应室中的温度场分布是影响GaN晶体薄膜的重要因素。MOCVD中采用了高频感应加热的方法。......
红荧烯是一种高性能的小分子材料,它具有三种晶体类型,单晶态具有很高的电学性能。作为小分子材料,它更容易实现易钝化,分子结构更......
钙钛矿太阳能电池由于其持续快速提升的高效率、制备工艺简单、成本低以及可实现柔性大面积印刷等优势,受到越来越多研究者的关注,......
2016年6月28日，从上海科技大学获悉，该校物质学院陈刚课题组研究制备出一种基于有机-无机杂化钙钛矿材料的二维彩色光子晶体薄膜，并在......
A newly-developed method is reported for direct determination of fluorine in silicate rocks and minerals rising a fluori......
本设计是为了培养学生的科研意识，提高学生的实验动手能力。...
据报道．美国麻省理工学院的研究人员利用电子束光刻技术和剥离过程开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜。这是一种很有前途的新材料．可广......
利用非平衡分子动力学（NEMD）模拟方法计算了氩晶体薄膜的热导率.当薄膜厚度达到微纳米量级时,热传导过程产生非Fourier效应,计算热导......
闪光退火是工艺工程师工具箱中的最新工具。尖峰快速热退火（RTA）方法已经付诸实用，但RTA在限制掺杂物扩散的同时对掺杂物进行活化，闪光......
本发明的Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是磁控溅射法，反应室真空度抽至至少4×10^-3Pa，以铝的质量分数为......
本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备方法和专用设备，它以高纯镓和氮气作源泉物质，采用双流供气方式，向沉积区输送经过离化的具有化学活......
本发明公开的制备p型氧化锌晶体薄膜的方法步骤如下：先将衬汽相沉积生长室中，生长室真空度抽到至少10^-2Pa，然后加热衬底，使衬底温度底......
26．石墨烯：奔向未来在这个三维世界中存在着一种最基本的认知．那就是任何事物都被赋予了深度、广度和高度。但这样的概述似乎很容易掩......
该氮化镓薄膜制备技术以高纯镓和氮气作原物质，采用双流供气方式，向沉积区输送经过离子化的具有化学活性的反应气体，在较低温度（500～600......
据报导，一种高科技环保型产品——触媒净化剂不久前在日本隆重上市。该产品的主要成分是超纳米微分子磷酸二氧化钛，它是一种具有直径......
本发明的的生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置，包括生长室、进样室、连接生长室和进样室的活动闸板及用于活化裂化......
本发明公开的实时掺氮生长P型氧化锌晶体薄膜的方法，是在金属有机化学汽相沉积过程中利用活化裂化高纯氮源气体产生氮原子进行实时......
用ＩＣＢ外延技术在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上生长了ＣｄＴｅ单晶薄膜。Ｘ光衍射、电子背散射通道及ＲＨＥＥＤ都表明获得了良好的单晶结构及平滑膜面。外延取向关系为ＣｄＴｅ（１００）／ＮａＣｌ（１００）和ＣｄＴｅ（１１１）／Ｓｉ（１１１）。实验......
介绍了三元化合物材料ＣｓＣｕ２ｌ５和Ｃｓ３Ｃｕｌ２ｌ５晶体薄膜的制备工艺，利用低温吸收谱及扫描电镜能谱图分析了庐摹成分，通过透射电镜的衍射图样研究了三元化合......
<正> 深圳市雷地科技实业有限公司在常温下生产的金刚石膜是国际上首次发现的纳米级金刚石材料,这是我国新材料领域的重大突破,这......
西方测定了Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５晶体薄膜在室温及液氮温度下的吸收谱，并依此计算出该材料的激子参烤，即激子束缚能ΔＥ＾（１）ｅｘ＝（０．５３±０．０７）ｅＶ，激子半径αｅｘ＝０．３２６ｎｍ，禁带宽度Ｅｇ＝（５．００±０．０７）ｅＶ。在......
美国麻省理工学院的研究人员利用电子束光刻技术和剥离过程开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜。这是一种很有前途的新材料,可广泛应......
本文提出了一种研究晶体薄膜光学隧道隧道效应的方法，我们计算了在最一般情况下双轴晶体中迅衰波的复折射率和复折射角。我们也讨论......
Electrodeposition of SnO2 nanocrystalline thin film using butyl-rhodamine B as a structure-directing
薄电影是的多孔的 SnO2 nanocrystalline 成功地从浸透氧的酸的 electrodeposited 在 70 湩 ? 湓 ? 琠楨? 楦浬包含丁基玫瑰精 B (......
以声子格林函数理论的为基础，研究了简立方晶体薄膜的声子结构，推导了简立方晶体薄膜的声子布里渊光谱的线形公式，并给出了数值计算的......
用物理汽相沉积法在水平系统中生长有机半导体并五苯晶体薄膜.用10～30毫克的源生长出20～30 mm2大小的适合特性测量和器件制备的晶体......
本文提出一种研究晶体薄膜光学隧道效应的方法，计算在最一般情况下晶体中急逝波的复射率和复折射角，讨论了隧道效应时晶体薄膜的反射......
