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对国产抗辐照VDMOS锎源辐照试验结果和制作工艺做了分析，深入研究了SEB和SEGR的机理，给出了大功率MOSFET抗单粒子辐照的加固方法，为新卫星电源分系统的可靠性研究打下良好基础。
星用抗辐照功率VDMOS器件的SEB和SEGR研究
【摘 要】
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对国产抗辐照VDMOS锎源辐照试验结果和制作工艺做了分析，深入研究了SEB和SEGR的机理，给出了大功率MOSFET抗单粒子辐照的加固方法，为新卫星电源分系统的可靠性研究打下良好基础。
【机 构】
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中国科学院 微电子研究所 北京 100029
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年10期
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