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利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了一系列具有不同p层厚度(d)的InGaN/GaN蓝光LEDl薄膜，并制备成垂直结构的发光二极管(VLEDs)，研究了p层厚度即P面金属反射镜与量子阱层的间距对LED出光效率的影响，并采用F-P干涉腔模型进行了理论分析。结果显示，d对LED的光提取效率有很大的影响。光提取效率随d的增加，呈现类似阻尼振动随时间的变化趋势。其极大值和极小值分别出现在0．73λn和1．01λn处，且极大值是极小值的2倍多。这是因为d非常小，与LED的发光波长相当，所以d对芯片内的干涉有很大的影响，进而影响了芯片的出光效率。