【摘 要】
：
制备性能良好的CuInSe2（简称CIS）薄膜材料对于CIS 太阳电池是至关重要的。一般情况下，CIS 吸收层可用多源共蒸发法、溅射后硒化法以及电沉积等方法制备，为了更好的控制薄膜的生长，相变过程的研究是非常重要的。本文通过一个由溅射后硒化制备的Cu/In/Se 多层膜系统，应用XRD，探测在不同的温度下，薄膜中物相的构成情况，依此研究薄膜在升温过程中的相变规律，找到CuInSe2d 的相变连接线
【机 构】
：
军事交通学院,天津300161;南开大学所,天津300072 南开大学所,天津300072
论文部分内容阅读
制备性能良好的CuInSe2（简称CIS）薄膜材料对于CIS 太阳电池是至关重要的。一般情况下，CIS 吸收层可用多源共蒸发法、溅射后硒化法以及电沉积等方法制备，为了更好的控制薄膜的生长，相变过程的研究是非常重要的。本文通过一个由溅射后硒化制备的Cu/In/Se 多层膜系统，应用XRD，探测在不同的温度下，薄膜中物相的构成情况，依此研究薄膜在升温过程中的相变规律，找到CuInSe2d 的相变连接线。本研究表明，用溅射后硒化法制备的CuInSe2 的相变连接线为CuSe-InSe. 表明在CIS 形成过程中，应适当控制Cu/In 原子比、薄膜的温度以及温度变化速率，使三元相形成之前有尽量多的CuSe 相和InSe 相。任何原子的化学计量失配都会导致二元杂相的生成。
其他文献
利用Rn子体ThC衰变产生的α粒子能量较氡及其子体衰变产生的α粒子能量都高的特点,发展了一种Rn测量的吸收体方法.介绍了加吸收体甄别氡及实现Rn直接测量的原理、研制的吸收体法被动累积测Rn剂量计及其刻度方法.该剂量计测Rn暴露量和介质表面Rn析出率的刻度系数分别为R=0.0767cm(kBq·m·h)和R=0.1301cm(kBq·m·h),当测量周期为7d,所用CR-39SSNTD本底径迹密度标
对不同氧含量的太阳电池用直拉硅片进行了磷扩散吸杂、铝吸杂及磷－铝联合吸杂的研究。采用准稳态光电导衰减法（QSSPCD）测试了吸杂前后单晶硅片的非平衡少子寿命。发现三种吸杂方式对于硅片的非平衡少子寿命都有提高,而磷－铝联合吸杂的效果最佳；在不同厚度的铝膜的铝吸杂过程中，发现随着铝膜厚度的增加，吸杂效果更为明显。采用傅立叶红外变换测试吸杂后氧含量的变化，发现高氧样片有利于促进吸杂。
近年来环境问题已经变得越来越严重，太阳能电池作为一种清洁能源也越来越受重视，近十年来以高达25﹪-40﹪的年增长率高速发展。晶体硅太阳电池是首先被发展和依然得到最广泛应用的太阳电池，现在世界太阳电池产量中超过90﹪的是晶体硅太阳电池。我们实验室正在对国外很流行的光伏建筑一体化材料双面玻璃太阳电池的制造工艺进行研究。当太阳电池采用双面玻璃结构时，上下两层玻璃结构造成电池组件的热性能很差和太阳电池的工
在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中，化学沉积CdS半导体薄膜，用于制备CIGS 太阳电池，单体电池的效率达到12.1﹪，小组件的效率达到6.6﹪。这种CdS薄膜具有六方晶和立方晶混合结构，结晶均匀细致，电阻率约为104~105Ωcm.。CdS薄膜生长速度受液相传质步骤控制，因此溶液搅拌速率对CdS 薄膜的沉积速率与粗糙度有很大的影响。
针对光伏阵列的工作特性，并通过对现有最大功率控制方法特点的分析比较，提出一种改进的最大功率点跟踪（MPPT）控制策略。该控制策略采用双环的结构（温度环和电压环），以克服传统的MPPT控制方式不能很好的适应日照的突变的缺点，以提高光伏系统的效率，并通过实验验证了这种方法的可行性。
本文采用化学水浴法，在含有ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH 的水溶液中沉积ZnS(O,OH)薄膜。通过调整溶液中三种组成的比例，发现每种组份对薄膜的沉积速率都有影响，ZnSO4 浓度越高，沉积速率越大；SC(NH2)2 浓度增大，薄膜达到一定厚度不再沉积。XRF 和XRD 测试表明ZnS(O,OH)薄膜中含ZnS 与Zn(OH)2。而Zn(OH)2呈非晶态，热处理脱水后为ZnO 结晶，Zn
本文简述了一种新型的太阳能光伏产品——太阳能光伏电池导电无铅涂锡合金铜带的研发及生产。产品技术的创新之处在于采用了涂层为无铅涂锡合金配方、基体为铜和新工艺及其专利设备生产出具有龟纹从而无需焊膏焊接的涂锡铜带，提高了产品抗腐蚀、焊接性、导电性、使用寿命等性能，降低了污染毒害问题。
在国家和云南省多年的支持及光伏科技人员的努力下，云南具备了较好的光伏科研、产业和人才基础，太阳能资源较丰富，本省和西藏以及邻国光伏市场潜力大、区位优势好，也具备扩大光伏产业链的条件。有条件快速发展光伏产业，为西部开发和边疆地区全面实现小康作贡献。
一个多晶硅锭的生产周期大约需要60 小时，包括加热、熔化、生长、退火、冷却5 个步骤。多晶硅锭具有厘米级大晶粒、柱状晶粒结构、电阻率均匀性好、杂质含量低等特点。经多线切割机切成厚度为0.325mm 的多晶硅片，大规模生产多晶硅太阳电池，电池平均转换效率达到14.7％。
本文运用宾夕法尼亚大学开发的AMPS 软件，模拟了采用不同晶化度的nc-Si作P-I-N结构太阳电池的I层的性能；研究了不同I层厚度的情况下电池的Jsc, Voc, FF, Eff的变化。模拟结果说明，晶化度为42.78％的纳米硅作I层，得到了23.986﹪的转换效率；当I 层厚度在500nm 的时，太阳电池光电效率Eff有最大值。