【摘 要】
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采用能量2GeV、剂量10～10-cm的Ar离子辐射了P型CdZnTe材料,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究.实验结果得分析表明,Ar离子辐照在CdZnTe中产生了更
【机 构】
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中国科学院传感技术国家重点实验室、上海技术物理研究所(上海)
【出 处】
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第十五届全国红外科学技术交流会暨全国光电技术学术交流会
论文部分内容阅读
采用能量2GeV、剂量10<10>～10-<14>cm<-2>的Ar<+>离子辐射了P型Cd<,0.96>Zn<,0.04>Te材料,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究.实验结果得分析表明,Ar<+>离子辐照在Cd<,0.96>Zn<,0.04>Te中产生了更大密度的受主型缺陷和散射中心,引起材料载流子(空穴)浓度的增大和迁移的降低.随着辐照剂量的增大,载流子迁移率的降低要比载流子浓度增大得快,导致材料电阻随辐照剂量增大而增大.
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