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微电子制造技术正在向更高的集成度发展，亚10纳米线宽结构的高性能微加工技术势在必行。在这一尺度上继续沿用传统的光刻工艺面临着巨大的技术挑战，难以满足新原理器件的研发需求，迫切需要发展具有在大范围尺度(厘米)条件下工作、纳米级定位精度的图形拼接、兼具加工和原位检测能力的仪器技术和方法。我们探索了基于低能场发射电子扫描探针原理、可在半导体器件材料(硅、二氧化硅)上实现10 纳米分辨的微纳加工技术，有望为研制室温单电子器件、纳米光学微透镜等新原理器件提供稳定、精确、高效的制造方法。