【摘 要】
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本文对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温20,40,60mA加速电流下的电应力老化研究,发现蓝光与绿光样品经过60mA电流老化424h后,其电学性能表现出一定的共性与差异性:在小测量电流下,绿光样品的光衰减幅度较蓝光样品大～9％;而在较大测量电流(20mA)下,两者的光衰减幅度基本相同(18％).同时,蓝绿光样品的正向电学性能随老化时间的变化幅度基本一致,反映出它们具有相似的退化
【机 构】
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华侨大学工学院,福建省泉州市362021 厦门市三安光电科技有限公司,福建厦门361009
【出 处】
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2015年中国人工智能学会神经网络与计算智能专委会年会暨第十三届泉州市科学技术协会年会
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本文对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温20,40,60mA加速电流下的电应力老化研究,发现蓝光与绿光样品经过60mA电流老化424h后,其电学性能表现出一定的共性与差异性:在小测量电流下,绿光样品的光衰减幅度较蓝光样品大～9％;而在较大测量电流(20mA)下,两者的光衰减幅度基本相同(18％).同时,蓝绿光样品的正向电学性能随老化时间的变化幅度基本一致,反映出它们具有相似的退化机制,绿光样品老化后增多的缺陷大部分体现为简单的漏电行为,而并非贡献于非辐射复合中心.在此基础上对GaN基外延结构进行了优化,优化后的LED长期老化的光衰减幅度较参考样品降低了3％.
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