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该文利用透射电子显微镜观察了室温条件下[001]单晶Si上维氏压痕诱发的表层radial和内部median／lateral类型裂纹。结果表明在小载荷下，压痕区Si的形变十分严重，生成大量浓密的位错及v形形变带。Radial裂纹从压痕作用的弹-塑性区的文界处萌生并由顶角附近向外呈放射状扩展; median/lateral裂纹在塑性区内部萌生。远离压痕区的裂纹附近没有观字到位错运动。