近年来，毫米波频段的通信系统已成为研究的热点，毫米波通信技术广泛的应用于生活的各个方面，但是该项技术还有很大的研究空间，目前尚有很多的问题亟需解决。主流的毫米波信号产生机制有两种：一种是采用光学降频技术达到毫米波波段；二是采用电学方法。而采用电学方法产生毫米波也有两个设计方向：一种是基于化合物半导体工艺；二是基于硅基标准CMOS工艺。相较于光学降频方法和化合物半导体工艺方法，本论文中的标准CMOS工艺实现方法，有着集成度高，工艺要求低，成本低，可以实现片上系统和突破工艺最大振荡频率的限制等显著优点。本论文将主要阐述一种基于CMOS工艺的毫米波振荡器电路。本文中的毫米波线性叠加振荡器采用UMC0.18μm标准CMOS工艺，实现了输出频率为36.56GHz的振荡信号输出。基波振荡单元使用交叉耦合振荡电路实现，两个基波振荡单元之间通过交叉互连实现相位钳位，得到四路振幅相等相位差为90°的正交振荡信号，四路正交信号通过线性叠加结构实现对基波信号的四倍频。突破了工艺最大振荡频率的限制，显著的提高了振荡频率。基于上述的原理，本文的三、四章详细的阐述了电路仿真、版图绘制、芯片测试和测试数据分析的细节。芯片测试结果表明：工作电压1.8V时，消耗的电流为40mA，基波信号频率为9.14GHz，校正后输出功率为-10.85dBm，在1MHz频偏处的相位噪声为-112.54dBc/Hz；四倍频信号频率为36.56GHz，校正后输出功率为-37.17dBm。测试结果达到预期目标。