ZnO基稀磁半导体磁特性研究的第一性原理计算

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【摘要】

：

本文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,通过构建多种模型,研究了理想ZnO的电子结构,并考察了固有缺陷对ZnO电子结构的影响。对有空位缺陷和无空位缺陷的V、Mn掺杂的ZnO稀磁半导体材料电子结构和磁学特性分别进行了分析,探讨了掺杂系统中磁相互作用的机理。理想ZnO的态密度和能带分析结果证明,该体系的电子结构呈现为直接带隙特征,Zn中02p和Zn4s之间存在着成键-反键相互作用,Zn4s能级和

【作者】

：

高慧霞

【机构】

：

河北大学

【发表日期】

：

2009年06期

【关键词】

：

第一性原理稀磁半导体缺陷铁磁性

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