GaSb材料作为重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,是实现高性能中红外波段激光器的首选材料,在激光制导、光通讯等军事、民用领域均有广泛应用。但GaSb材料表面化学性质活泼,具有极高的表面态密度,严重影响了光电子器件的性能。而表面钝化可以有效减少表面态密度,提高材料表面发光强度,因此开展GaSb材料的表面钝化研究工作具有极其重要的意义。针对湿法硫钝化会引入新的表面态及钝化过程不易控制等缺点,本文提出基于原子层刻蚀的氮钝化方法,在等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统中,利用氮等离子体对GaSb材料表面进行精确的原子层刻蚀技术,得到了氮钝化最佳的工艺条件。在不同氮钝化实验中,有效减少了表面氧化层,提高了n型GaSb材料的光致发光强度。氮钝化中实验条件的改变将对Ga(3d)能级和Sb(3d)能级及相应化学成键产生重要影响。通过钝化稳定性实验表明,氮钝化在15天内的稳定性较好,能够抑制二次氧化问题。并且,根据AFM测试得出,钝化处理后的样品也具有较好的平整度。本文通过氮钝化对GaSb材料的处理方法,达到良好的钝化效果,并具有较好的稳定性,因此本研究工作为提高GaSb基半导体激光器性能,改进GaSb基半导体激光器钝化工艺奠定基础。