近年来,白光发光二极管（Light-emitting diode,LED）作为新一代的绿色环保照明光源,以其较低的功耗,超长的使用寿命,较小的体积,响应速度快及优异的光学性能等优势被广泛应用到军事,医疗,电子行业等领域。因此,白光LED用荧光粉的研究就成了人们所追捧的热门方向,从未停歇。目前,商业市场中使用较广的多数蓝光芯片激发YAG:Ce³⁺黄色荧光粉发出白色荧光,虽然这种技术已经相当成熟了,但是尚存在缺失红光,显色性差的缺点。因此,许多研究者都在寻求一种新型高发光性能的白光LED用荧光粉材料,其中利用紫外-近紫外光激发红,绿,蓝荧光粉就是一种解决方案。本文就针对一种白光LED用荧光粉碱金属偏钒酸盐AVO₃（A=Rb,Cs,K）的合成及发光性能进行研究,具体工作内容及结论如下:本文通过固相合成法,分别制备出RbVO₃和CsVO₃荧光粉实验样品,制备所得的这两种样品分别利用X射线衍射仪（XRD）对物相进行分析,确定其晶体结构;通过扫描电子显微镜观察样品的形貌特征;利用荧光分光光度计测量其光致发光的荧光光谱图;最后测量实验样品的色品坐标。结果表明:RbVO₃光致发光光谱波长范围是在400-700nm之间,发射峰最大峰值在507nm的波长处,色品坐标为（0.3415,0.3960）;禁带宽度为2.973eV,吸收谱在125-450nm之间,吸收峰值在5.62eV,226nm处;CsVO₃光致发光光谱波长范围是在400-700nm之间,峰值在492nm处,色坐标为（0.3591,0.4131）;禁带宽度为3.143eV,吸收波长在139-340nm之间,吸收系数峰值为5.69eV,224nm;KVO₃禁带宽度为3.042eV,最强吸收峰在5.25eV、220nm处,吸收范围在129-300nm之间;其中RbVO₃的光学带隙最窄,色坐标最接近纯白光坐标。RbVO₃、CsVO₃及KVO₃都是直接带隙半导体,发光机理源于O的2p轨道与V的3d轨道的单电子跃迁,能被紫外-近紫外光宽带激发发出白光。