【摘 要】
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该文主要介绍作者有关GaN薄膜材料缺陷的研究,主要是线形位错方面的,并讨论了线形位错对其材料性质影响方式.GaN材料中存在着大量的缺陷,但其光、电等方面的性能仍保持良好,
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该文主要介绍作者有关GaN薄膜材料缺陷的研究,主要是线形位错方面的,并讨论了线形位错对其材料性质影响方式.GaN材料中存在着大量的缺陷,但其光、电等方面的性能仍保持良好,因此缺陷在GaN中所起的作用引起了人们的广泛兴趣.由于线位错占了GaN材料中缺陷的主要部分,并且结构特性较为简单,因此该文主要对线形位错在GaN材料中的作用进行了研究和分析.我们对GaN薄膜缺陷的研究,主要使用电镜,X光衍射,霍尔效应测量以及光致发光等实验手段.实验结果表明两种类型的线形位错都对材料光、电性能产生影响,螺位错较刃位错的影响显著.表征两种位错相关性质的关联参数m也同材料性能有着紧密联系.材料的线形位错密度同材料内深层杂质浓度有关联,螺位错在材料内起非发光中心的作用.位错关联参数m同材料深层杂质能级密度,线形位错的结构以及排布方式有着直接联系.
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