苝四甲酸二酐(3，4，9，10-perlenetetracrboxylic dianhydride-PTCDA)是一种红色粉末状的单斜晶系宽带隙有机半导体材料。它是多相芳香族分子复合形成的非聚合物，它的价带和第一紧束缚导带之间的能量是2.2ev，在半导体光电器件的制造中，这种材料具有很好的光电特性，在多色有机发光器件及高效光电探测器中都有广泛应用。本文主要讨论ITO／PTCDA／P-Si／Al光电探测器的研制及特性参数的优化。本文首先对光电探测器的工作原理和参数进行了阐述；其次给出了PTCDA的材料特性，并且讨论了PTCDA／P-Si势垒的各项电学特性及其在正／反偏压作用下的能带结构。随后，介绍了ITO／PTCDA／P-Si／Al光电探测器的研制过程和原理。最后从以下几个方面对器件特性进行优化：1．利用AFM分析了PTCDA在P-Si上的成膜特性，进而讨论了温度和膜厚对于薄膜表面形貌的影响，同时根据Raman光谱测试结果得到了温度对于PTCDA分子结构的影响；2．由于ITO作为PTCDA有机光电探测器的阳极，采用射频磁控溅射淀积的ITO薄膜的光学和电学性能对制备条件非常敏感，所以讨论了溅射工艺条件对于ITO薄膜特性的影响；3．原来在ITO上引电极单纯采用Al，由于ITO与Al接触会在界面形成氧化铝，增加了接触电阻，影响了器件的性能，所以试验中我们采用了Ni—Al复合电极，比较了两种电极结构的电学特性。