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随着科学技术的高速进步,以Ga N为代表的第三代半导体材料凭借其高禁带宽度、高电子饱和速度、良好的工作稳定性等优点,在高温、大功率、微波器件领域拥有广泛的应用前景,其中,Al Ga N/Ga N HEMT更是在无线通信和雷达领域展现了很好的发展潜力。氟等离子体处理被广泛用于Ga N器件的栅槽刻蚀工艺以及制作增强型器件工艺中,因此对氟基等离子体处理Al Ga N/Ga N HEMT器件进行研究非常必要。本论文通过以下三个方面对氟等离子体处理后的轻掺杂漏Al Ga N/Ga N HEMT进行探索与研究:1、基于氟等离子体处理,保持相同的氟等离子体刻蚀时间条件下采用不同的氟等离子体处理功率对器件的栅边缘漏侧区域进行氟处理,研究了不同氟处理功率下形成的轻掺杂漏结构对Al Ga N/Ga N HEMT器件的影响。本文主要对比了氟等离子体处理功率为50w、100w、150w下形成的轻掺杂漏结构对Al Ga N/Ga N HEMT器件的转移特性和击穿特性的影响。研究发现了随着氟等离子体处理功率的上升,在击穿特性方面,未进行任何处理的Al Ga N/Ga N HEMT器件的击穿电压约为100V;在50w功率氟等离子体处理下器件的击穿电压达到了130V,与未处理相比提高了约30%;在100w功率氟等离子体处理下的器件击穿电压达到了165V左右,于未处理提高了将近65%;在150w功率氟等离子体处理下的器件击穿电压达到了约170V,与未处理相比提高了70%;而Al Ga N/Ga N HEMT器件的输出电流、跨导特性不同程度退化;器件的阈值电压有少量正向漂移。2、基于氟等离子体处理,保持相同的氟等离子体刻蚀功率的条件下采用不同的氟等离子体处理时间对器件的栅边缘漏侧区域进行氟处理,研究了不同氟处理时间下形成的轻掺杂漏结构对Al Ga N/Ga N HEMT器件的影响。本文主要对比了氟等离子体处理功率100w,时间为0s、60s、120s下形成的轻掺杂漏结构对Al Ga N/Ga N HEMT器件的转移特性和击穿特性的影响。研究发现了随着氟等离子体处理时间的增加,在击穿特性方面,在氟等离子体条件为(100w 0s)处理下Al Ga N/Ga N HEMT器件的击穿电压约为100V,在氟等离子体条件为(100w 60s)处理下器件的击穿电压达到了180V,在氟等离子体条件为(100w 120s)处理下器件的器件击穿电压超过200V;而Al Ga N/Ga N HEMT器件的输出电流、跨导特性不同程度退化;器件的阈值电压有少量正向漂移。3、基于氟等离子体处理,保持氟等离子体处理功率和时间一定的条件下,研究了不同长度的轻掺杂漏结构对Al Ga N/Ga N HEMT器件的影响。本文主要对比了轻掺杂漏结构长度为0.3um、0.5 um、0.6 um、0.7 um、0.9 um、1.1 um、1.3um对Al Ga N/Ga N HEMT器件的直流特性,转移特性以及击穿特性的影响,研究发现:击穿特性方面,随着轻掺杂漏结构长度的增加,器件的击穿电压在上升到一定程度后出现下降的趋势,并对此进行了分析,得到了轻掺杂漏结构的最佳长度范围;转移特性方面,随着轻掺杂漏结构长度的增加,输出电流和跨导都出现了不同程度下降。