一维ZnO纳米材料具有良好的紫外发光性能、表面极化性能、高比表面积、高热稳定性以及高化学稳定性等，对比纯ZnO，掺杂的ZnO可以表现出更好的导电性能、更高的透光性和更高的稳定性。因此，对于掺杂ZnO的制备和应用的研究成为国际热点，在纳米电子器件、光电子器件、纳米传感器等领域表现出巨大的应用潜力。本论文的主要工作和结果如下：1.利用化学气相沉积法制备了不同In掺杂浓度ZnO纳米带，通过扫描电子显微镜对样品的形貌进行表征。测量了样品的X射线衍射图谱，结果表明当In掺杂浓度升高到4.98%时，样品将出现Zn₇In₂O₁₀。同时，测量了样品的拉曼图谱，可以得出当In掺杂浓度升高到4.98%时，一个新峰出现在614cm^-1处，这个峰可能归属于Zn₇In₂O₁₀，并且随In掺杂浓度的升高，614cm^-1处的峰强逐渐增强。2.我们利用微栅模板法制作了单根In掺杂ZnO纳米带欧姆接触的微电极，为了寻找普遍规律，每个In掺杂浓度都制备多个器件，并且成功率较高。通过半导体测试参数仪测得不同In掺杂浓度下的I-V图像，结果表明，当In掺杂浓度低于3.91%时，纳米带的电阻随In掺杂浓度的升高而减小，当In掺杂浓度高于3.91%时，纳米带的电阻随In掺杂浓度的升高而增大。同时，可以看出，适当浓度（约为3.91%）的In掺杂，可以大大提高ZnO的导电能力。3.为了进一步研究不同In掺杂浓度ZnO纳米带的光电性能，我们对纳米带器件进行了紫外光敏测试。实验表明In掺杂ZnO纳米带对的紫外光照射有一定的敏感性，在紫外光照射下，表现出良好的“开”、“关”特性。随In掺杂浓度的升高，恢复时间变短，但器件的敏感性减弱。