二氧化钒（VO₂）薄膜在68℃附近发生金属-半导体可逆相变,同时伴随着光、电等性质的突变,使其在光电器件和智能窗方面有着广泛的应用前景。针对制约VO₂在光电器件和智能窗应用的主要因素:相对室温较高的相变温度（T_c）、低的太阳能调制效率(ΔT_sol)和固有的棕黄色,本文将Ag纳米周期阵列（Ag PPAs）嵌入VO₂薄膜中,利用不同微纳结构以及不同尺寸的Ag PPAs所特有的局域表面等离子体共振特性（LSPR）,实现复合薄膜光学性能的有效调控,进一步稀释VO₂薄膜的固有棕黄色;同时随着不同数量的金属Ag PPAs的引用,逐步降低VO₂的相变温度。本文首先利用聚苯乙烯（PS）模板法在硅（Si）和石英基片（SiO₂）上分别制备了不同尺寸的Ag PPAs,然后与结晶质量良好的单斜相VO₂薄膜进行复合。通过调控VO₂薄膜中Ag PPAs的尺寸,研究复合薄膜的光/电性能。从电阻率-温度（ρ-T）曲线来看,随着复合薄膜中Ag纳米颗粒比表面积的增大,T_c降低;进一步通过能带模型分析,发现随着Ag纳米颗粒比表面积增大,更多的自由电子注入到VO₂膜中,在纳米金属-半导体结处吸收了更多的能量,诱发相变在较低温度处发生。从样品在Si基片的吸收光谱来看,随着Ag纳米颗粒的体积的减小,LSPR吸收峰发生蓝移,稀释了薄膜固有的棕黄色。从样品在SiO₂基片上的透射光谱来看,随着嵌埋的Ag纳米颗粒体积的减小,薄膜ΔT_sol从17.26%增大到27.86%。通过离子束刻蚀PS模板,改变PS模板球的大小和球间距,得到了一系列不同规格的PS模板,基于刻蚀获得的PS模板,采用电子束蒸镀法成功的将不同尺寸的Ag纳米网（Ag NNS）嵌埋进入VO₂薄膜中,形成Ag NNS/VO₂/SiO₂复合薄膜,并对复合薄膜的光/电性质进行了研究。从薄膜的ρ-T曲线看出,随着嵌埋的Ag NNS占复合薄膜体积百分比的增加,薄膜T_c降低。从薄膜相变前后透射光谱看出,随着嵌埋的Ag NNS占复合薄膜体积百分比从4.45%增加到24.07%,ΔT_sol从26.56%减小到13.20%。因此,特殊微纳结构的Ag周期阵列的嵌入可以有效调控VO₂薄膜的光/电性质。