【摘 要】
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本文提出了一种基于SMIC(中芯国际)0.18um Logic CMOS工艺设计和仿真的低静态电流低压差线性稳压器(LDO)电路结构。通过设计一种改进型电流源电路为其提供偏置电流,及优化电
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本文提出了一种基于SMIC(中芯国际)0.18um Logic CMOS工艺设计和仿真的低静态电流低压差线性稳压器(LDO)电路结构。通过设计一种改进型电流源电路为其提供偏置电流,及优化电阻反馈网络,有效降低了LDO的静态电流。仿真结果表明,该LDO的待机状态的静态电流最大值为27.39uA,工作状态静态电流最大值为38.33uA。线性调整率和负载调整率的典型值分别小于0.22mV/mA和1.6%(16mV/V),线性调整率在采用理想基准电压(本文为1.22V)时,其典型值小于0.04%(0.4mV/V)。输出的最大负载电流为150mA,压差在150mA输出负载电流下为250mV。
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