【摘 要】
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氧化锌(ZnO)是一种短波长、宽带隙的光电材料,其外延生长温度低、成本低、易刻蚀而使后工艺加工方便等优点,在发光二极管、激光器、紫外探测器等领域有非常广泛的应用。本文采
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氧化锌(ZnO)是一种短波长、宽带隙的光电材料,其外延生长温度低、成本低、易刻蚀而使后工艺加工方便等优点,在发光二极管、激光器、紫外探测器等领域有非常广泛的应用。本文采用了“热分解法”,合成了ZnO纳米晶,用喷涂的方法制备了ZnO纳米结构薄膜,构筑了电阻式光探测器,系统地研究了退火温度与探测性能之间的联系,探索了用AgBiS2量子点敏化ZnO纳米晶薄膜对探测器件性能的影响,主要研究结果如下:1. ZnO纳米晶上敏化AgBiS2量子点的光探测器的构建:利用Zn(CH3COO)2热分解的方法在普通玻璃上沉积一层厚度约为754nm的ZnO薄膜,发现决定ZnO薄膜的光探测性能的关键是沉积后的热处理过程;利用喷涂的方法,用单分散的AgBiS2量子点敏化ZnO纳米晶,发现决定探测器性能的关键因素在于喷涂AgBiS2的次数;2. AgBiS2量子点敏化ZnO纳米结构光探测器件的界面处理:利用Ligand-Exchange的方法对AgBiS2量子点表面进行处理,我们发现离子置换处理后的AgBiS2量子点用于敏化ZnO纳米结构的探测器件时,更有利于光生载流子的传输,结果离子置换后的AgBiS2量子点敏化ZnO的复合探测器件的光探测能力比ZnO单独的探测器件增强一倍。3. AgBiS2量子点敏化ZnO纳米结构光探测器件的稳定性:经过10min光照→10min暗态2循环后,发现探测器仍能有较好的重复性,光电流和暗电流都会升高和下降至约同一电流值。
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