伴随半导体技术的发展，隧穿场效应晶体管(TFETs)作为传统金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)替代者已经被广泛研究.作为后MOSFET技术，人们把半导体中带间隧穿(BTBT)作为降低操作电压的一种新机制加以讨论.Ⅲ-Ⅴ族合金半导体材料具有良好的光电特性，能够有效地应用到TFETs器件中.　　本文基于密度泛函理论，研究了Ⅲ-Ⅴ族半导体合金材料的带间隧穿以及在隧穿区域Ga、Sb掺杂的带间隧穿问题.对于源区、沟道和漏极为同种合金材料的带间隧穿，通过计算发现，当改变三元合金的组分时，可以有效地改变带隙的大小，带隙较小的材料对应的透射系数较大.当隧穿区域长度一定时，随着外加偏压的增加，透射系数增大，电流密度增大.当改变隧穿区长度时，沟道长度越短对应的透射系数越大.进而可以得出结论，增加隧穿的最有效方法就是减小隧穿区的带隙和长度.然而，在隧穿区域进行Ga、Sb掺杂时，我们发现:隧穿区域的晶格常数采用InAs的参数代替，形式上相当于对中心区进行了拉伸和压缩，从而改变了体系的能带结构，得到相反的结果.同时，掺杂区域的大小也对透射系数和电流有显著影响.