氧化锌（ZnO）是II-VI族直接宽禁带化合物半导体材料，呈六方纤锌矿结构，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，是同为第三代半导体材料氮化镓（GaN，约为25meV）的2倍，并具有较高的激子增益(320cm^-1)。因此，ZnO在蓝/紫外发光二极管（LEDs）、激光器（LDs）以及紫外探测器等光电领域有着巨大的应用潜力。要实现ZnO在光电子领域的广泛应用，首先必须解决的问题是如何制备出高质量稳定可重复的n和p型ZnO材料。众所周知，ZnO的p型掺杂呈现非对称性（即“单极性”），通过掺杂Ⅲ族元素（如Al，Ga，In等）很容易制备出性能优越的n型ZnO透明导电薄膜。然而，由于ZnO的背景电子浓度较大（主要由VO、Zn_i等本征施主缺陷产生），且通常情况下受主掺杂剂的固溶度较低,以及受主能级较深等因素导致ZnO难于实现p型掺杂。迄今为止，制备出高质量稳定可重复的p型ZnO依然是实现ZnO基光电器件化的关键。目前，人们在研究如何得到稳定的p型ZnO的同时，也试图找出p型ZnO不稳定的根源，这是目前亟待解决的前沿课题。本文研究的重点及核心便是探索阻碍ZnO材料实现p型转变和导致p型不稳定的因素。本文研究了ZnO:N薄膜的拉曼及光电特性，重点探讨了影响ZnO:N薄膜的p型稳定性的外在和内在因素。实验中采用电子束蒸发技术在石英衬底上制备ZnO薄膜，以N离子注入的方式及后期退火处理实现N掺杂ZnO薄膜。借助拉曼散射光谱、透射光谱和霍尔测试等手段对薄膜经行表征。结果表明:所有样品均呈现ZnO纤锌矿结构，在ZnO:N薄膜拉曼光谱中发现与N相关的振动模式(位于272.5、505.1和643.6cm^-1)，分析表明N已掺入ZnO薄膜中；霍尔测试表明，通过适当退火处理后，ZnO:N薄膜向p型转变，其空穴浓度为7.73×10¹⁷cm^-3，迁移率为3.46cm²V^-1s^-1，电阻率为2.34cm。然而，长期进行霍尔跟踪测试发现，ZnO:N薄膜的p型性能随时间并不稳定，结合拉曼散射光谱和第一性原理计算分析认为由于p-ZnO:N薄膜中存在残余压应力，同时薄膜中还出现了易补偿空穴的施主缺陷（N₂）O是p型不稳定的重要原因。本文还研究了Ag含量对ZnO薄膜的结构及光电特性的影响，研究给出了ZnO:Ag薄膜实现p型的实验条件。实验中采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备ZnO:Ag薄膜。借助X射线衍射仪、透射光谱、霍尔测试和拉曼散射光谱等手段研究了Ag含量对ZnO:Ag薄膜的结构及光电性质的影响。在室温拉曼光谱中检测到Ag诱导产生的局域振动模型LVMZn-Ag(230.0cm^-1)和LVM_Ag-O(394.5cm^-1)，分别对应于缺陷Ag⁺O和缺陷Ag⁺Zn。结合霍尔测试研究了施主缺陷Ag_O⁺和受主缺陷Ag_Zn⁺对ZnO:Ag薄膜电学性质的影响。结果表明，富O条件下易抑制施主缺陷Ag_O⁺的形成，增强受主缺陷Ag_Zn⁺的形成。并在富O条件下通过优化退火条件成功制备出p型ZnO:Ag薄膜。