【摘 要】
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随着科学的蓬勃发展、技术的不断革新,以微电子产业、电子信息技术以及科技制造业为首的高科技产业迅猛发展,对其所需要的功能材料性能也提出了更高的要求,且器件的微型化、集成化是大势所趋,性能单一的材料已经不能满足其需求,因此找到匹配多功能器件的新型多功能材料已成为了研究热点。目前,利用多铁性磁电复合材料的磁电耦合效应,可在传感器、换能器、滤波器、震荡器、移相器、存储器等多个领域应用,可见磁电材料有巨大的
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随着科学的蓬勃发展、技术的不断革新,以微电子产业、电子信息技术以及科技制造业为首的高科技产业迅猛发展,对其所需要的功能材料性能也提出了更高的要求,且器件的微型化、集成化是大势所趋,性能单一的材料已经不能满足其需求,因此找到匹配多功能器件的新型多功能材料已成为了研究热点。目前,利用多铁性磁电复合材料的磁电耦合效应,可在传感器、换能器、滤波器、震荡器、移相器、存储器等多个领域应用,可见磁电材料有巨大的应用价值。本文通过调研做了以下几个方面的研究。本文首先运用溶胶凝胶法（Sol-gel）,通过控制变量法探索退火温度、旋涂层数及溶胶浓度对薄膜微观结构及多铁性能的影响,得出最佳工艺参数:在溶胶浓度为0.4 mol/L、旋涂层数为4层、退火温度为700℃。其次通过激光脉冲沉积法（PLD）探索了底电极、激光能量、溅射氧压、沉积时间、沉积温度、靶间距等对铁电相薄膜BTO微观结构和性能的影响,得出性能最佳的工艺参数:激光能量240 m J、溅射氧压13 Pa、沉积温度750℃、沉积时间30 min、靶间距50mm。最后运用PLD工艺制备了多铁性NFO/BTO磁电复合薄膜,结果表明NFO/BTO磁电复合展现出优异的室温磁电耦合性能。当偏置直流磁场约为600Oe时,NFO/BTO复合薄膜的磁电耦合系数达到最大值,为57 m Vcm-1·Oe-1,为进一步探索多铁性磁电复合材料的耦合机制及其在新型多功能器件中的应用提供了依据。
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