【摘 要】
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该文将坩埚加速旋转技术(ACRT)应用于HgMnTe晶体的垂直Bridgman生长,研究了ACRT对晶粒选择和成分均匀性的影响,并与传统Bridgman法晶体中所获得的结构相比较.腐蚀工艺是研究
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该文将坩埚加速旋转技术(ACRT)应用于HgMnTe晶体的垂直Bridgman生长,研究了ACRT对晶粒选择和成分均匀性的影响,并与传统Bridgman法晶体中所获得的结构相比较.腐蚀工艺是研究晶体微观结构的重要方法,也是间接表征缺陷电学性质的主要手段之一.该文从腐蚀机理出发,仔细考察了蚀坑的形成过程,配制出一种适用于HgMnTe材料的腐蚀剂.这种腐蚀剂以显示不同晶面上的多种缺陷,如位错、晶界、富Te相等;被腐蚀面的腐蚀质量高,易于观察.研究发现,从几何学角度来说,蚀坑形貌与被腐蚀晶面的晶体学取向有着十分密切的关系.该实验利用Hall效应测量了退火晶片及相邻未退火晶片的电学性能.生长态的HgMnTe晶体为p型半导体;采用该文中给出的退火工艺参数成功地将晶体的导电类型反型为n型.77K下,典型n型晶片的电子迁移率超过10<'5>cm<,2>V<'-1>S<'-1>,电子浓度低于10<'15>cm<'-3>.
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