本文主要对晶圆制造生产线上,多晶硅栅刻蚀工艺在工作中所碰到的刻蚀残留所造成的良率低下和线上缺陷检测异常的案列,进行深入的分析。针对多晶硅栅刻蚀残留导致良率低下的问题点,通过对过刻蚀时间的窗口确认,并增加过刻蚀步骤时间,从而改善了0.18μm线宽产品在浅沟槽隔离凹陷处的多晶硅残留现象,使得良率提升了约2%;通过对底部抗反射胶刻蚀时间的增加,改善了0.11μm线宽产品在小线宽间距的多晶硅栅线条之间残留,使良率提升了约3%;通过对去除刻蚀气体中氮气流量,从而改善1μm线宽产品在高阻区上刻蚀时产生刻蚀停止现象,使良率提高了约30%。针对多晶硅栅刻蚀在线缺陷检测异常的问题点,通过在刻蚀条件最后增加了一步处理步骤,使刻蚀后还处于等离子体状态下的刻蚀副产物能持续保持悬浮状态并尽可能地抽走,从而改善了功率器件在刻蚀后出现的球状缺陷异常;通过对过刻蚀步骤进行调试,使原来的HBr气体替换为一定比例的Cl₂和HBr,从而改善了功率器件在刻蚀后出现的结晶状缺陷异常;通过对混作业的不同膜质不同作业条件进行分类和归纳,使各种多晶硅刻蚀条件达到最优化的组合,从而改善多晶硅栅刻蚀后检测到大块阻挡刻蚀残留缺陷的问题;通过对多晶硅栅刻蚀作业的冷却腔室路径进行分析,确认所发生机理为冷却腔室位置有关,最终通过对后续湿法条件的优化来使55nm线宽产片上的棍状缺陷得到改善。