【摘 要】
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论文的主要工作是以重要的半导体材料离于注入门氧化物为对象,利用双束飞行时间质谱仪器TOF-SIMSⅢ、Ⅳ和双聚焦磁质谱仪器CAMECAIMS-6f对SOI样品进行了深度剖析.并通过监测C
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论文的主要工作是以重要的半导体材料离于注入门氧化物为对象,利用双束飞行时间质谱仪器TOF-SIMSⅢ、Ⅳ和双聚焦磁质谱仪器CAMECAIMS-6f对SOI样品进行了深度剖析.并通过监测Cs<,2><+>考察样品表面的铯覆盖度,围绕着低能下二次离子发射的铯效应展开了研究.结果表明,可以通过选择正确的二次离子和原子团离子,确定样品的深度分布.应检测Si<->作为硅的参考离子,检测原子团离子SiO<,3><->SiN<->作为氧和氮的检测离子可以获得更高的动态范围,但是从铯效应看,仍然需要校准;在飞行时间质谱仪器上不适合使用MCs<+>技术检测诸如氮的痕量杂质,在双聚焦磁质谱仪器上却可以获得较高的灵敏度和较宽的动态范围;同时还对Na<+>、K<+>、CH<,2><->及金属做了深度剖析,得到了包括痕量污染在内样品的有用信息.论文的另一部分工作是结合ISO关于SIMS深度剖析分辨本领的国际巡回测试,用氧源和铯源研究了Si中GaAsδ掺杂多层膜样品的分辨参数和影响因素,对比研究了CAMECAIMS-4f和CAMECAIMS-6f下分辨参数随深度的变化,结果表明,上升沿、下降沿宽度及峰宽间具有相对独立性,仪器的性能和状态也会显著影响分辨参数,同时可以通过测量分辨参数调整仪器的状态.
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