相对灵敏度因子相关论文
准确测定并控制材料中杂质元素含量是发挥高纯材料性能不可或缺的环节。辉光放电质谱法（GDMS）是准确、快速、高灵敏分析高纯材料中痕......
研究比较了应用不同金属粉末作为导电介质在测试高纯稀土氧化钇中杂质元素含量时的优劣,探索了样品制备（压片）和辉光放电质谱（GDMS）放......
GaN材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,在其单晶材料的研制过程中,掺杂剂Mg的含量对生长p型GaN有重要影响,所以对......
期刊
伽马能谱测井主要应用于自然伽马射线、脉冲中子测井中的散射伽马、俘获伽马射线测量，以确定地层元素种类与含量，来研究井剖面地层性......
采用辉光放电质谱法测定单晶硅中替位碳含量,通过优化仪器工作条件,得到最佳放电参数。利用低温傅里叶变换红外光谱法对呈梯度的四......
对一些元素的出现电势谱（APS）进行了比较测定，给出了8种元素的APS相对灵敏度因子，那些具有较高空态密度的元素，如镧系元素、锕系元素和3......
建立了激光剥蚀电感耦合等离子体质谱测定高纯金中Mg,Cr,Mn,Fe,Ni,Cu,Zn,As,Se,Pd,Ag,Sn,Sb,Pb,Bi,Te 16种痕量元素的分析方法.测......
建立了激光剥蚀-电感耦合等离子体质谱(LA-ICP-MS)法测定纯钌中Mg、Al、Fe、Ni、Cu、Zn、Rb、Rh、Pd、Mo、Ag、Cd、Sn、Ba、Ir、Pt......
本文利用XPS技术开展了Fe-Ni合金薄膜组成的准确测量研究，主要考察了不同的相对灵敏度因子来源对测量结果的影响。当利用标准物质获......
硅中硼的定量分析是二次离子质谱学中的一个典型基础研究课题。该文介绍并评述了硅中硼ＳＩＭＳ定量分析的进展，讨论了相对灵敏度因子法、硅......
论文以微电子器件中重要的基础材料Si为研究对象,围绕SIMS定量分析展开了应用和基础研究.首先,结合SIMS前沿应用领域的发展简要综......
该论文以重要的半导体材料Si和GaAs为主要的研究对象,围绕提高SIMS定量分析精度进行了应用和基础研究.......
根据世纪之交半导体领域对SIMS定量分析提出的新挑战,以夺基材料与器件为主要对象,研究了二次离子发射基体效应和定量分析的几个前......
论文的主要工作是以重要的半导体材料离于注入门氧化物为对象,利用双束飞行时间质谱仪器TOF-SIMSⅢ、Ⅳ和双聚焦磁质谱仪器CAMECAI......
ASTM E1 50 5- 1 992 《用离子注入表面标准确定二次离子质谱相对灵敏度因子的方法》ASTM E1 50 8- 1 998 《能量色散谱仪的定量......
以硬石膏矿物标样中Ca相对于S的灵敏度因子为基准,将玻璃标样中主量和痕量元素相对于Ca的灵敏度因子转换成元素相对于S的灵敏度因......
砷化镓中铜的SIMS定量分析是有效控制砷化镓中杂质铜的浓度的重要手段,本文介绍用相对灵敏度因子定量分析砷化镓中铜的方法.......
本文采用相对灵敏度因子法，对硅中磷含量的SIMS定量分析方法进行研究。并通过提高质量分辨率的方法降低背景，使磷的检测限达到1．0......
建立了激光剥蚀-电感耦合等离子体质谱(LA-ICP-MS)法测定纯钌中Mg、Al、Fe、Ni、Cu、Zn、Rb、Rh、Pd、Mo、Ag、Cd、Sn、Ba、Ir、Pt......
取高纯GeO2粉末5.00g(颗粒度小于30μm)5份,其中一份作为空白,其余4份中依次加入Li、Be、Mg、Al、Ti、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu、Zn......
采用直流辉光放电质谱(dc-GD-MS)测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子(RSF)。标样制作过程中主要是在连续通入氩气条件下将......
以硬石膏矿物标样中Ca相对于S的灵敏度因子为基准,将玻璃标样中主量和痕量元素相对于Ca的灵敏度因子转换成元素相对于S的灵敏度因......
介绍了用离子注入标样测定ＧａＡｓ中氧的ＳＩＭＳ相对灵敏度因子的方法，并将实验数据进行离子计数－浓度，溅射时间－深度转换后求得的特征值（Ｃｍａｘ、Ｒｐ、△Ｒｐ等）与理......
采用激光剥蚀固体进样和电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)相结合的技术测定了纯铜中Fe、Zn、As、Sn、Sb、Pb、Bi共7种痕量元素。对激......
硅中硼的定量分析是二次离子质谱学中的一个典型基础研究课题。９０年代中，国际标准化组织选定它作为ＳＩＭＳ领域要建立的第一项国际标准。参照......
利用已知浓度的均匀体掺杂半导体碲与金属镉材料作为ＳＩＭＳ分析的标准样品，测量得到了正电性杂质元素的相对灵敏度因子ＲＳＦ，发现了杂质元素相对......
众所周知，二次离子质谱定量分析的最大困难之一就是其体效应的影响。由于二次离子质谱发射机理较为复杂，从理论上描述和分析基体效应......
以辉光放电质谱法对牌号为6063铝合金标样（E421a）中9个元素进行测定,获得每个元素的灵敏度因子（RSF）,并考察了辉光放电电流、放电氩气......
标样与样品之间基体效应的差异是影响LA-ICP-MS分析结果准确度的重要因素,而元素的相对灵敏度因子（RSF）是基体效应的重要表征。本研......
本文采用相对灵敏度因子法,对硅中氧、碳含量的SIMS定量分析方法进行研究。通过对样品进行预溅射的方法,氧、碳的的检测限分别可达......
辉光放电质谱（GDMS）作为高纯金属和半导体材料分析的强有力工具在国内已得到了大量应用，该文简要介绍了GDMS的基本原理和国内外应用现......
采用标准溶液加入法往高纯氧化铋中加入混合标准溶液,烘干并研磨均匀,制备了5个高纯氧化铋的控制样品。再挑取适量的粉末样品压在......
本文采用二次离子质谱仪检测氮化镓材料中离子注入Cr的浓度,使用相对灵敏度因子法对氮化镓中Cr含量定量分析,为相关生产工艺和实验......
本文采用相对灵敏度因子法，对硅中氯含量的SIMS定量分析方法进行研究．通过运用改变一次束扫描面积的方法，氮的检测限可达到2．0×10......
本文用同位素源激发能量色散X射线分析技术,测定了天然冬虫夏草和人工发酵虫草头孢菌丝体中十种微量元素含量。结果表明,天然冬虫......
俄歇电子能谱(AES)在表面微区元素分析方面优势明显,但是受基体效应的影响,其定量分析,特别是非单质材料表面元素含量分析的准确度......
本文研究了内标校正-电感耦合等离子体质谱法测定高纯钼粉及钼酸铵、氧化钼中痕量杂质的检测方法,以及辉光放电质谱法测定高纯钛、......
